英诺赛科赴港IPO：三年亏损近70亿元被起诉专利侵权 董事长骆薇薇为美国籍

　　中国网财经6月13日讯(记者 刘小菲)全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司英诺赛科计划赴港上市。

　　近期，英诺赛科向港交所递交招股说明书。招股书提到，截至2023年12月31日，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体基地，产能达到每月1万片晶圆。

　　2021-2023年，英诺赛科的收入分别为6821.5万元、1.36亿元和5.93亿元。根据弗若斯特沙利文资料，按收入计，英诺赛科2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一。

　　收入持续增长的英诺赛科，目前仍未实现盈利。2021-2023年，英诺赛科亏损金额分别为34亿元、22.05亿元和11.02亿元，合计67.07亿元；经调整净亏损分别为10.81亿元、12.77亿元和10.16亿元，合计33.74亿元。

　　对于持续亏损的原因，英诺赛科在招股书中提到了三个，分别是生产设备大幅折旧、大额研发开支、销售及营销开支的不断增加。

　　2021-2023年，英诺赛科的销售及营销开支分别为2840万元、6930万元和9010万元；研发开支分别为6.62亿元、5.81亿元和3.48亿元。英诺赛科称，未来可能继续产生亏损，且无法保证最后会达到预期的盈利能力。

　　英诺赛科在招股书中提到，截至2023年底，公司拥有397名研发人员。公司在全球有约700项专利和专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

　　不过，英诺赛科招股书显示，于往绩记录期间，公司面临两名竞争对手针对公司若干产品潜在知识产权侵权提出的三项诉讼。目前，这三项诉讼事项仍处于相对较早阶段，若判决不利，公司可能会被禁止上产或销售侵权产品、或责令支付金钱赔偿。

　　据相关媒体报道，2023年，氮化镓(GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)向加州地区法院以及美国国际贸易委员会提起诉讼，称英诺赛科侵犯了其四项专利，涵盖了EPC专有的增强型氮化镓(GaN)功率半导体器件的设计和大批量制造工艺的核心方面。

　　英诺赛科随后发布声明，称EPC对比英诺赛科从商业规模、业务范围到技术实力上都差距悬殊，其由个别员工工作变动而幻想出的技术抄袭清洁属臆想行为，没有事实依据。

　　今年3月，英飞凌在其官网发布消息称，为防止自己拥有的与氮化镓(GaN)技术相关的美国专利收到侵犯，对英诺赛科提起诉讼，且正在寻求永久禁令。涉及起诉的专利权利要求涵盖了氮化镓(GaN)功率半导体器件的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有的氮化镓(GaN)器件可靠性和性能的创新。

　　招股书显示，业绩亏损的英诺赛科，其业务发展对融资颇为依赖。2017年7月成立的英诺赛科，于今年4月完成了E轮融资，融资金额为6.5亿元；A、B、C、D轮的融资金额分别为5500万元、15.02亿元、14.18亿元、26.09亿元，合计融资金额超过60亿元。

　　目前，英诺赛科的创始人、董事长及执行董事骆薇薇，其直接持股比例为5.9%，间接持股比例为23.1%；其余三名执行董事则分别为Jay Hyung Son、吴金刚和钟山，年龄均在50岁以上。值得一提的是，骆薇薇与Jay Hyung Son均是美国籍。