七年,“自主芯”从一片空白到世界一流
- 发布时间:2016-03-03 01:30:35 来源:科技日报 责任编辑:罗伯特
■“弯道超车”的创新动力
近日,中国“自主芯”首次进入柔性直流输电领域。这个“自主芯”即是中车株洲所自主生产的IGBT模块。
“短短7年,我们从一片空白跻身世界一流。”谈及IGBT产业的发展,中车株洲所旗下子公司时代电气半导体事业部副总经理刘国友说。
现代机车车辆装备要实现高速和重载,关键是机车要有一个强大的“心脏”,这个“心脏”便是牵引电传动系统。要实现机车功率等级提高和操控的灵活自如,离不开IGBT。尽管一块IGBT模块只有巴掌大小,但它却是驾驭一台庞大机车的核心。
中车株洲所拥有50多年的深厚积淀,是中国轨道交通关键部件装备的核心力量。尽管从二十世纪60年代开始,中车株洲所通过自身培育和国外引进等方式,掌握了双极器件技术,但对于技术更为先进的IGBT芯片及模块设计、制造技术还是一片空白。
“每年,公司都得花费数亿元从国外采购IGBT产品。”刘国友介绍。
面对市场的需求,中车株洲所打响了一场“IGBT项目攻坚战”。
2005年,中车株洲所子公司中车时代电气在株洲成立。
为尽快比肩国际先进水平,中车时代电气决定走技术引进与合作的道路。经过一系列严格的论证,中车株洲所首次通过并购方式,于2008年10月31日成功收购英国丹尼克斯半导体公司75%的股权,成为中国轨道交通装备企业首个海外并购项目。
这是一个双赢的漂亮举措。丹尼克斯获得了资金,中车占领了欧洲的“桥头堡”。
2010年5月,中车时代电气借助丹尼克斯在欧洲的“桥头堡”作用,在英国林肯成立功率半导体海外研发中心,成为中国轨道交通装备制造企业首个海外研发中心。中心汇聚了来自中国外派和欧洲全球半导体行业的40余名顶尖的中外高级专家,投入精力集中开发新一代IGBT芯片技术、新一代高功率密度IGBT模块技术和下一代碳化硅功率器件技术等前沿基础技术。
为了尽快实现IGBT的完全国产化,中车时代电气同时在国内加快了IGBT产业化进程。
2011年5月,中车时代电气投入约16亿元,在株洲建设国内第一条8英寸的IGBT芯片生产基地, 2014年6月20日建成并交付使用。“建设这个8英寸IGBT生产线,整个技术团队中,只有一名英国工程师”。这也是世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线。由此,中车时代电气成为国内唯一一家全面掌握IGBT芯片技术研发、模块封装测试和系统应用的企业。
2014年11月,装有首批自主8英寸IGBT芯片的模块在昆明地铁实现成功运行,各项参数指标均达国际先进水平。这意味着,由中车时代电气自主研制生产的8英寸IGBT芯片已彻底打破国外高端IGBT技术垄断,实现从研发、制造到应用的完全国产化。
“现在,我们的技术与世界同类企业几乎同步”。究其原因,刘国友认为,中车时代电气走出了一条成功之路,即借英国功率半导体研发中心这一平台,培养了一大批技术骨干,完全消化并对IGBT技术进行了再创新。
短短7年,中车时代电气借助资本运作平台,抓住历史机遇,让IGBT产业完全国产化成为现实,也实现了电力电子产业和民族装备产业的腾飞。
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