我建成亚洲最大宽禁带碳化硅基地
- 发布时间：2015-01-26 01:30:57 来源：科技日报 责任编辑：罗伯特
科技日报讯 （通讯员辛鹏波 记者王延斌）近日，记者从中国宽禁带功率半导体产业联盟获悉，国家重大科技成果转化及山东省重点建设项目——山东天岳先进材料科技有限公司功能器材用碳化硅衬底项目顺利完工，标志着我国建成亚洲规模最大的宽禁带碳化硅半导体材料生产基地。
据悉，宽禁带碳化硅半导体材料是第三代半导体核心材料，目前正在逐步取代硅(Si)晶等传统材料，成为新一代高端半导体行业的主要生产材料。宽禁带碳化硅半导体材料广泛应用于半导体电力电子器件、微波器件、光电子器件等领域，对我们国家的产业转型升级和国防战略安全具有重要意义。但由于宽禁带半导体碳化硅半导体材料存在巨大的技术和工业化瓶颈，世界上只有少数几个企业和科研机构掌握，至今一直对我国实行禁运封锁，严重制约我们国家新一代半导体产业的发展。
目前建成的生产基地占地191亩，总建筑面积8万平方米，设备全部达产后将形成年产35万片碳化硅衬底的生产能力，将彻底改变我国宽禁带碳化硅半导体材料受制于人的局面，带动我国碳化硅产业链快速发展，形成千亿级的碳化硅半导体产业集群。
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